Niclas Heinsdorf

作者以第一性原理描述单层交替磁体V2Se2O并构建其自旋劈裂费米面的低能模型，再对V2Se2O与常规s波超导体构成的异质结做自洽Bogoliubov–de Gennes计算，发现动量依赖的交换劈裂使近邻诱导配对转为完全能隙的等自旋p波态，在较宽界面参数范围内Bogoliubov–de Gennes能带具有非零第一陈数，板状谱中出现穿越体能隙的手性马约拉纳边缘模，并量化了反近邻效应对有限多层堆垛中诱导能隙的影响。

作者以第一性原理描述单层交替磁体V2Se2O并构建其自旋劈裂费米面的低能模型，再对V2Se2O与常规s波超导体构成的异质结做自洽Bogoliubov–de Gennes计算，发现动量依赖的交换劈裂使近邻诱导配对转为完全能隙的等自旋p波态，在较宽界面参数范围内Bogoliubov–de Gennes能带具有非零第一陈数，板状谱中出现穿越体能隙的手性马约拉纳边缘模，并量化了反近邻效应对有限多层堆垛中诱导能隙的影响。