Zehao Lin

该工作展示了在200毫米硅晶圆上实现晶圆级单片三维集成，堆叠三层原子层沉积的氧化铟（InOx）基器件（制造超过10万个），涵盖铁电、增强型和耗尽型场效应晶体管，获得低至0.04 V的阈值电压标准差、高达91.6 cm²V⁻¹s⁻¹的平均电子迁移率以及功能完整的跨层电路，并基于定制InOx工艺设计套件构建了面向大语言模型工作负载的四层三维存内计算加速器，相比二维基线实现1.4倍至2.9倍加速和相当的能耗-延迟积改善。

该工作展示了在200毫米硅晶圆上实现晶圆级单片三维集成，堆叠三层原子层沉积的氧化铟（InOx）基器件（制造超过10万个），涵盖铁电、增强型和耗尽型场效应晶体管，获得低至0.04 V的阈值电压标准差、高达91.6 cm²V⁻¹s⁻¹的平均电子迁移率以及功能完整的跨层电路，并基于定制InOx工艺设计套件构建了面向大语言模型工作负载的四层三维存内计算加速器，相比二维基线实现1.4倍至2.9倍加速和相当的能耗-延迟积改善。