量子算能带不再逐材料造哈密顿量：硅八条能带与精确对角化只差1.78毫电子伏
周期固体的变分量子能带计算长期卡在输入环节：每个材料都要先用密度泛函理论加Wannier化或手工拟合构造二次量子化哈密顿量。SlaKoNet-VQD把这一环节换成预训练的通用Slater-Koster紧束缚模型，在硅上沿标准高对称路径复现全部八条能带，与同一哈密顿量的精确对角化相比平均绝对偏差1.78毫电子伏；同一流程不重新训练即可用于Al、Ta、V、Nb与ZrN，并在IBM量子硬件上完成铝的一个代表性k点基态计算，误差约0.37电子伏。